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“数据爆发”时代存储市场加速发展

时间:2021-09-15 22:04:44

 

来源:互联网

9月14日,2021年中国闪存市场峰会(以下简称峰会)在深圳召开,大会由国内存储市场资讯平台CFM闪存市场主办。

CFM闪存市场总经理邰炜表示,“因为疫情,过去20多个月以来我们的生活方式发生了很多的变化。在线上经济,包括远程办公、网上教育等需求下,全球NANDFlash的总供应量将在今年同比增长39%,DRAM将同比增长21%”。

在行业加速发展的背景下,中国半导体存储产业也在快速发展。在峰会上发布的《2021年全球存储市场趋势白皮书》(以下简称《白皮书》)显示,中国半导体存储产业起步较晚,目前已突破1%的全球市场占有率,并在技术上缩小了与国际原厂的差距,实现了主流技术的量产。

存储市场加速发展

存储器,又称为存储芯片,是半导体行业的支柱型产业之一。

太平洋证券一份研报援引Gartner数据称,2020年全球存储器收入增加135亿美元(相比2019年),占2020年整个半导体市场收入增长的44%。《白皮书》指出,存储器约占整个半导体行业产值的27%。

据了解,目前存储器主要分NANDFlash和DRAM两种。其中NANDFlash又被称为“闪存”,是一种非易失性存储芯片,断电不会丢失数据,具备读写功能,可以支持多次擦除和重复编程。而DRAM指的是动态随机存取存储器,速度比NANDFlash更快,但断电会丢失数据,主要用于存储短时间使用的程序。

而疫情的到来,给存储器行业摁下了“加速键”。《白皮书》指出,疫情下人们转向于居家办公和网上学习等,增加了服务器以及PC需求,存储器也成为2020年表现最好的领域。

简单而言,办公、教学等领域的线上转型,以及AI、5G、物联网等新技术的发展,使得全球数据量出现“爆炸性增长”。而很多数据都需要存储,从而加速了存储行业的发展。

全球半导体储存龙头企业之一美光科技有限公司(以下简称美光)的集团副总裁DineshBahal在峰会上提到了“DecadeinDays”(几日即几十年)。他认为一场巨大的数字化转型已经发生,涵盖了人们工作、学习、娱乐等各个方面,人们期待世界会在10年内发生的(数字化)变革,甚至在数周内就发生了。

尽管各领域在疫情下的“数字化转型”带动了存储市场需求的增长,但在全球缺芯的局面下,存储市场也出现了供需失衡。

邰炜表示,整体存储市场已经由供不应求转变成结构性的供需失衡。由晶圆代工产能不足引发的缺芯浪潮逐渐蔓延到全产业链,目前最缺的PMIC(电源管理芯片)短期难以缓解,主控芯片供应有所改善。缺货引发囤货,再加上手机上半年为抢市场提前扩容,PC、服务器的需求旺盛,使得存储器出现涨价。

据CFM闪存市场数据,今年前两个季度存储原厂(指存储器的生产制造商)DRAM和NANDFlash价格快速上涨。从1月份到8月份,整个DRAM和NANDFlash的综合价格指数分别上涨了18.4%和12.4%。

不过,邰炜认为,四季度除了企业级SSD供应依然紧张,其他各类产品的供应都将快速增加,三季度很有可能是本轮价格的分水岭。

根据CFM闪存市场数据分析,从2020年到2025年,手机市场、PC市场、数据中心市场对存储器的需求将分别以31%、22%、39%的复合增长率增长。

国内存储产业仍在追赶

目前全球存储市场的竞争格局如何?

华泰证券一份研报指出,根据Gartner数据,2020年全球存储器市场规模达到1245.4亿美元,目前韩、美、日厂商几乎垄断全球存储器市场,我国存储芯片几乎完全依靠进口。但长江存储、长鑫存储技术有限公司(以下简称长鑫存储)等存储项目正稳步推进。

据CFM闪存市场统计,2020年全年三星NANDFlash的营收在全球各存储原厂NANDFlash总营收中的占比高达33%,铠侠占比19%,西部数据占15%,美光和SK海力士各占11%,英特尔占10%。DRAM方面呈“三足鼎立”格局,三星营收占比高达43%,SK海力士和美光分别占比29%和23%。虽然国内的长江存储和长鑫存储起步较晚,但在2020年三季度纷纷突破1%的市场份额。

从市场需求来看,中国已成为全球存储器最重要的需求市场之一。CFM闪存市场数据显示,在中国的DRAM和NANDFlash销售规模占据全球30%以上市场份额。

而中国的存储原厂正在技术层面加速追赶。据了解,NANDFlash在发展过程中逐渐由平面结构升级为三维架构,通过工艺技术的提升,可以逐渐增加存储单元的层数,实现在单位面积下更高的存储容量。

据英特尔NPSG亚太区销售总监倪锦峰介绍,英特尔的144层3DNAND已于2020年大规模量产。

《白皮书》指出,中国半导体存储产业起步较晚,且初期发展并不均衡,更偏向于封测、模组以及国外品牌代理销售。长江存储和长鑫存储2016年成立,分别补上了中国在NANDFlash和DRAM市场核心供应环节的空白。长江存储128层3DNANDFlash、长鑫存储DDR4/LPDDR4X等产品的量产,已经缩小了与业内先进水平的差距。

但《白皮书》同时表示,中国存储原厂现有产能规模仍然较小,不足以支撑起庞大的市场需求。中国存储发展仍然面临难题,无论是技术还是产能都需要巨额的投资,但目前中国的存储投资力度与国外厂商相比还有很大差距,如三星每年投入超200亿美元。动辄百亿级别的投资,仅依靠还在起步阶段的企业自身造血远远不够。

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